Neue 750 V SiC Produktfamilie für Automotive- und Industrieanwendungen

Eine neue SiC-MOSFET-Technologie erhöht die Effizienz und Leistungsdichte in Industrie- und Automobil-Anwendungen. Diese Optimierten Halbleiter senken außerdem die Entwicklungskosten durch eine höhere Leistungsdichte.

Um der wachsenden Nachfrage nach höherer Effizienz und Leistungsdichte in industriellen und automobilen Anwendungen zu begegnen, bringt Infineon Technologies den diskreten CoolSiC MOSFET 750 V G1 auf den Markt. Die Produktfamilie umfasst sowohl industrie- als auch automobiltaugliche SiC-MOSFETs, die für Totem-Pole-PFC-, T-Typ-, LLC/CLLC-, Dual-Active-Bridge- (DAB), HERIC-, Buck/Boost- und phasenverschobene Vollbrückentopologien (PSFB) optimiert sind. Die MOSFETs eignen sich ideal für den Einsatz in typischen Industrieanwendungen wie dem Laden von Elektrofahrzeugen, industriellen Antrieben, Solar- und Energiespeichersystemen, Leistungsschaltern, USV-Systemen, Servern/ Rechenzentren, in der Telekommunikation und im Automobilsektor, beispielsweise in Onboard-Ladegeräten (OBC), DC-DC-Wandlern und vielen mehr.

Die CoolSiC MOSFET 750 V G1-Technologie zeichnet sich durch exzellente RDS(on) x Qfr und RDS(on) x Qoss Leistungsparameter aus, was zu einem besonders hohen Wirkungsgrad in Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien führt. Die einzigartige Kombination aus hoher Schwellenspannung (VGS(th), typ. 4,3 V) und niedrigem QGD/QGS-Verhältnis macht die MOSFETS sehr robust gegenüber parasitärem Einschalten und ermöglicht eine unipolare Gate-Ansteuerung. Damit lassen sich die Leistungsdichte erhöhen und die Systemkosten senken. Alle Bauteile nutzen die proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon, die eine hervorragende thermische Impedanz bei äquivalenten Chipgrößen bietet. Das hochzuverlässige Gate-Oxid-Design sorgt in Kombination mit den Qualifizierungsstandards von Infineon für eine robuste und langlebige Leistung.

Mit einem granularen Portfolio, das von 8 bis 140 mΩ RDS (on) bei 25°C reicht, erfüllt die neue CoolSiC MOSFET 750 V G1 Produktfamilie eine Vielzahl von Anforderungen. Ihr Design sorgt für geringere Leitungs- und Schaltverluste und steigert so die Effizienz des Gesamtsystems. Die innovativen Gehäuse minimieren den Wärmewiderstand, ermöglichen eine bessere Wärmeableitung und optimieren die Induktivität im Stromkreis, was wiederum zu einer hohen Leistungsdichte und geringeren Systemkosten führt. Die Produktfamilie ist zudem mit dem hochmodernen QDPAK-Gehäuse ausgestattet, das auf der Oberseite gekühlt wird.

Der CoolSiC MOSFET 750 V G1 für Automobilanwendungen ist in QDPAK TSC-, D2PAK-7L- und TO-247-4-Gehäusen erhältlich. Für industrielle Anwendungen werden QDPAK TSC- und TO-247-4-Gehäuse angeboten.