电子芯片模板

Die präzise Montage von Leistungshalbleitern ist entscheidend für Effizienz und Langlebigkeit. Die richtige Technik an den Schnittstellen zwischen elektrischen Kontakten und Kühlkörpern spielt dabe...

IGBT is the most sensitive and vulnerable device in the power inverter. At the same time, it is also the most expensive and critical component in the inverter, and many different measures should b

Die neue Generation der SiC-MOSFETs von Wolfspeed verspricht bei gleicher Größe mehr Leistung und Effizienz bei höheren Temperaturen sowie eine erhöhte Robustheit und Haltbarkeit. Die neuen Produkt...

Moderne elektronische Systeme sind auf kleine, leichte und hocheffiziente Stromversorgungen angewiesen. In diesen Stromversorgungen müssen kosteneffektive Methoden genutzt werden, um die Energie au...

Die nächste Generation von E-Autos benötigt immer mehr SiC-Halbleiter, sehr zur Freude ihrer Hersteller. Der jüngste Kooperationsvertrag zwischen Infineon und Stellantis, die gemeinsam leistungssta...

Mit seinen neuen IGBT-7-Bauelementen will Microchip sein Angebot an Leistungselektronikkomponenten verbreitern und sowohl Rechenzentren als auch die Themen Nachhaltigkeit und E-Mobilität abdecken. ...

©InfineonJochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG, kommentiert: „Infineon hat das Geschäftsjahr 2024 gut gemeistert und im Rahmen der Erwartungen abgeschlossen. Aktuell b...

Alors que le monde s’appuie de plus en plus sur l’intelligence artificielle, la demande de centres de données efficaces et évolutifs n’a jamais été aussi forte. Les applications d’IA nécessitent de...

Le prix technologique 2024 a été décerné au professeur Bantval Jayant Baliga de l’université d’État de Caroline du Nord pour l’invention du transistor bipolaire à porte isolée (IGBT).Depuis sa mise...

Mit der bahnbrechenden 300-Millimeter-GaN-Technologie wird Infineon den schnell wachsenden GaN-Markt formenInfineon wird bestehende 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung nutzen, um Effizienz des Kap...

Les modules récents basés sur la 7e génération de transistors bipolaires à porte isolée (IGBT) d’onsemi, le 1200V QDual3, offrent une densité de puissance accrue et une alimentation électrique amél...

Die Nutzung von SiC-MOSFETs bietet das Potenzial für erhebliche Effizienzgewinne, insbesondere durch die Reduktion von Leistungsverlusten um mehr als 50 Prozent im Vergleich zu herkömmlichen IGBT-b...

Infineon annonce l'ouverture d'une nouvelle usine en Malaisie qui deviendra la plus grande et la plus compétitive usine de semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) de 200 millimèt...

Mit drei neuen Halbbrücken-Modulen in SiC-MOSFET-Technik erweitert der Hersteller StarPower das Angebot seiner Leistungshalbleiter zum Einsatz im Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen. Die Module ze...

Galliumnitrid (GaN) in den letzten Jahren erheblich an Bedeutung gewonnen. Während diskrete GaN-HEMT-Bauelemente weit verbreitet sind, kommen nun auch integrierte GaN-Lösungen. Diese integrierten L...

ANBIETER ZUM THEMAAufgrund der hohen Nachfrage nach hochreinem Siliziumkarbid für die Halbleiterfertigung entsteht in Nürnberg 6.000 Quadratmeter Produktionsfläche. SiCrystals Wurzeln gehen bis auf...

Antriebe von Elektrofahrzeugen werden über elektronische Wechselrichter gesteuert. Für diesen Anwendungsbereich hat der Halbleiterhersteller StarPower jetzt zwei Dreiphasen-IGBT-Module vorgestellt,...

Maximale Energieeffizienz für Elektromobilität, Klimatechnik und InformationstechnikEnergieeffiziente Leistungselektronik gehört zu den Schlüsseln für eine erfolgreiche Energiewende. Technologien a...

Les nouveaux modules à base de la 7e génération de transistors bipolaires à porte isolée d’onsemi 1200V QDual3 délivrent une densité de puissance plus élevée et fournissent une alimentation électri...

München, 20. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt die Produktfamilie CoolGaN™ Transistor 700 V G4 auf den Markt. Die hocheffizienten Bauteile eignen sich hervorragend für Leistungswandlu...

München, 7. Juni 2024 – Die Infineon Technologies AG hat den 600 V CoolMOS™ S7TA Superjunction-MOSFET für Power-Management-Anwendungen im Fahrzeug vorgestellt. Der S7TA wurde speziell für die Anfor...

Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sind kaum noch wegzudenken, dennoch bleibt Silizium ein wesentlicher Bestandteil der Halbleiter-Industrie. Doch warum ist da...

Die Leistungselektronik erfordert ein breites Verständnis von Komponenten und deren Funktionsweise. Die Kenntnisse über Bauteile wie Dioden, Transistoren und IGBTs bilden die Grundlage für den Eins...

Die Leistungsaufnahme von KI-Beschleunigern ist enorm. Um für immer höhere Leistungsdichten in KI-Rechenzentren auch zukünftig die passenden Netzeile liefern zu können, wurden jetzt auf GaN und SiC...

Eine neue SiC-MOSFET-Technologie erhöht die Effizienz und Leistungsdichte in Industrie- und Automobil-Anwendungen. Diese Optimierten Halbleiter senken außerdem die Entwicklungskosten durch eine höh...

Die Elektrifizierung aller Bereiche treibt die weit verbreitete Einführung von Siliziumkarbid-/SiC-Halbleitern in Anwendungen mit mittleren und hohen Spannungen wie Transportwesen, Stromnetze und S...

Ein hoher Wirkungsgrad ist erforderlich, um effiziente 48- oder 60 V-Batteriemanagementsysteme (BMS) für Anwendungen wie Hausbatterien, tragbare Ladestationen, E-Scooter, E-Bikes usw. zu entwickeln...

Nexperia wird zum SiC-MOSFET-Anbieter: Hatte der Hersteller bisher in seinem FET-Portfolio auf Silizium und Galliumnitrid gesetzt, sind dort jetzt auch diskrete 1.200-V-Typen auf Siliziumkarbid-Bas...

Im Rahmen einer jetzt geschlossenen strategischen Partnerschaft wird Mitsubishi Electric SiC-Chips entwickeln und in Die-Form an Nexperia liefern, welche Nexperia wiederum für die Produktion eigene...

Toshiba hat sein Angebot an „intelligenten“ Leistungsbausteinen für die Ansteuerung bürstenloser Gleichstrommotoren (BLDC) um zwei 600-V-Varianten erweitert. Die neuen Bausteine im kompakten HDIP30...

Infineon Technologies a élargi sa famille d’IGBT TRENCHSTOP de 7ème génération avec une variante 650V H7.Les dispositifs IGBT H7 sont dotés d’une diode EC7 co-packed avec une conception avancée de ...

Batterie-Energiespeichersysteme (BESS) puffern erneuerbare Energiequellen im privaten und gewerblichen Bereich. Aktuelle SiC-Halbleiter können die Leistungsfähigkeit solcher Speichersysteme deutlic...

München und Flensburg – 12. Juli 2023 – Analysten prognostizieren, dass bis zum Jahr 2028 zwei Drittel aller produzierten Fahrzeuge mit einem ganz oder teilweise elektrifizierten Antriebsstrang aus...

Auf die schnell ansteigende Nachfrage nach Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) reagiert Mitsubishi Electric mit der Ankündigung, eine neue SiC-Waferfab in der japanischen Präfek...

03.02.2023Im EU-geförderten Projekt „UltimateGaN“ forschten 26 Partner aus neun europäischen Ländern gemeinsam an der nächsten Generation von Leistungshalbleitern auf Galliumnitrid (GaN)-Basis. Das...