Mitsubishi Electric und Nexperia schließen SiC-Partnerschaft

Im Rahmen einer jetzt geschlossenen strategischen Partnerschaft wird Mitsubishi Electric SiC-Chips entwickeln und in Die-Form an Nexperia liefern, welche Nexperia wiederum für die Produktion eigener, diskreter SiC-Bauelemente nutzen wird.

Mitsubishi Electric verfügt über umfassendes Know-how bei der Entwicklung und Herstellung von SiC-Leistungsmodulen für Applikationen wie Hochgeschwindigkeitszüge, industrielle Hochspannungsanwendungen und Hausgeräte. So brachte das Unternehmen bereits 2010 die weltweit ersten SiC-Leistungsmodule für Klimaanlagen auf den Markt und war 2015 der erste Anbieter eines reinen SiC-Leistungsmoduls für Shinkansen-Hochgeschwindigkeitszüge.

Laut der deutschen Niederlassung von Mitsubishi Electric soll der eigene Fokus weiter auf dem SiC-Modul-Markt bleiben. Ziel der strategischen Partnerschaft mit Nexperia sei es, das SiC-Geschäft weiter auszubauen, indem die Stärke von Mitsubishi Electric in der SiC-Chiptechnologie mit der bewährten Gehäusetechnologie für diskrete Bauteile von Nexperia kombiniert werde.

Jetzt neu bei Nexperia: Diskrete SiC-MOSFETs

Dafür wird Mitsubishi Electric seine Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien nutzen, um SiC-MOSFET-Chips zu entwickeln und in ungehäuster Die-Form an Nexperia zu liefern. Auf Basis dieser Chips wird diskrete, gehäuste SiC-Bauelemente entwickeln und produzieren sowie deren Vertrieb übernehmen. Bisher hatte sich Nexperia bei Wide-Bandgap-Materialien vor allem auf Galliumnitrid (GaN) konzentriert und zumindest auf der eigenen Webseite zwar Schottky-Dioden auf SiC-Basis aber keine SiC-MOSFETs angeboten. Ganz aktuell gibt es dort jedoch nun eine Sparte „SiC MOSFETs“ und darin zwei 1200-V-Typen mit 40 bzw. 80 mΩ.

Mitsubishi Electric erwartet, durch diesen Schritt seine Partnerschaft mit Nexperia, einem Unternehmen mit jahrzehntelanger Erfahrung in der Entwicklung, Herstellung, Qualitätssicherung und Lieferung diverser diskreter Bauelemente, weiter zu stärken. Die Bauelemente von Nexperia werden in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen eingesetzt und leisten einen Beitrag zur Dekarbonisierung und zu einer nachhaltigeren Zukunft. Mitsubishi Electric wird die Leistung und Qualität seiner SiC-Chips weiter vorantreiben und sich auf die Entwicklung von Leistungsmodulen mit eigenen Modultechnologien konzentrieren.

Mitsubishi: Leistung und Qualität der SiC-Chips weiter vorantreiben

„Diese für beide Seiten vorteilhafte strategische Partnerschaft mit Mitsubishi Electric stellt einen bedeutenden Schritt auf Nexperias Weg zu Siliziumkarbid dar“, sagt Mark Roeloffzen, SVP & General Manager Business Group Bipolar Discretes bei Nexperia. „Mitsubishi Electric hat eine starke Erfolgsbilanz als Lieferant von technisch bewährten SiC-Bauteilen und -Modulen. In Kombination mit Nexperias hohen Qualitätsstandards und Fachkenntnissen in den Bereichen diskrete Produkte und Gehäuse werden wir mit Sicherheit positive Synergien zwischen beiden Unternehmen schaffen, die es unseren Kunden letztendlich ermöglichen, hoch energieeffiziente Produkte in den von ihnen bedienten Industrie-, Automobil- oder Verbrauchermärkten anzubieten.“

Masayoshi Takemi, Executive Officer und Group President, Semiconductor & Device bei Mitsubishi Electric, kommentiert: „Nexperia ist ein führendes Unternehmen im industriellen Sektor mit bewährten Technologien für hochwertige diskrete Halbleiter. Wir freuen uns sehr über diese gemeinsame Entwicklungspartnerschaft, die die Halbleitertechnologien beider Unternehmen nutzen wird.“